R5019ANJTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

LPTS N-CH 500V 19A

表面贴装型 N 通道 19A（Ta） 100W（Tc） LPTS

得捷:
MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

贸泽:
MOSFET Nch 500V 19A MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

R5019ANJTL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 115 ns

输入电容Ciss 2050pF @25VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

R5019ANJTL引脚图与封装图

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