RRH140P03TB1
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RRH140P03TB1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 7.3 mΩ
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
输入电容Ciss 8000pF @10VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 650mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RRH140P03TB1引脚图与封装图 
RRH140P03TB1引脚图
RRH140P03TB1封装图
RRH140P03TB1封装焊盘图
在线购买RRH140P03TB1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RRH140P03TB1 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P沟道 30V 14A | 搜索库存 |
替代型号RRH140P03TB1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RRH140P03TB1 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOP-8 | 当前型号 | P沟道 30V 14A | 当前型号 |
| 型号： RRH140P03GZETB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP-8 P-Channel 30V 14A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2.5 V | RRH140P03TB1和RRH140P03GZETB的区别 |