R6008ANX

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

通孔 N 通道 600 V 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

R6008ANX中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 680pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

R6008ANX引脚图与封装图

R6008ANX引脚图

R6008ANX封装图

R6008ANX封装焊盘图

在线购买R6008ANX

型号	制造商	描述	购买
R6008ANX	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET	搜索库存