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RF4E070BNTR

RF4E070BNTR

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8Pin HUML EP T/R

N-Channel 30V 7A Ta 2W Ta Surface Mount HUML2020L8


得捷:
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 7A Automotive 8-Pin HUML EP T/R


RF4E070BNTR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 2W Ta

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 410pF @15VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN2020-8

外形尺寸

封装 DFN2020-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

RF4E070BNTR引脚图与封装图
RF4E070BNTR引脚图

RF4E070BNTR引脚图

RF4E070BNTR封装图

RF4E070BNTR封装图

RF4E070BNTR封装焊盘图

RF4E070BNTR封装焊盘图

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