R6012ANX
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R6012ANX中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 420 mΩ
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.8 mm
高度 15.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R6012ANX引脚图与封装图 
R6012ANX引脚图
R6012ANX封装图
R6012ANX封装焊盘图
在线购买R6012ANX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R6012ANX | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM ### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号R6012ANX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R6012ANX 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220FM | 当前型号 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： R8002ANX 品牌： 罗姆半导体 封装： TO-220FM N-Channel 800V 2A 3.3ohms | 类似代替 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | R6012ANX和R8002ANX的区别 |