RSS090N03FU6TB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSS090N03FU6TB中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 810pF @10VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOP-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
RSS090N03FU6TB引脚图与封装图
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在线购买RSS090N03FU6TB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSS090N03FU6TB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | SOP N-CH 30V 9A | 搜索库存 |
替代型号RSS090N03FU6TB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSS090N03FU6TB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOP N-Channel 30V 9A | 当前型号 | SOP N-CH 30V 9A | 当前型号 |
| 型号： RSS090N03TB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOIC 30V 9A | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8Pin SOP T/R | RSS090N03FU6TB和RSS090N03TB的区别 |