RS1E350BNTB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30V 35A Ta 35W Tc Surface Mount 8-HSOP

得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 35 A, 0.0012 ohm, HSOP, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin HSOP EP T/R

RS1E350BNTB中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 215 ns

输入电容Ciss 7900pF @15VVds

下降时间 105 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RS1E350BNTB引脚图与封装图

RS1E350BNTB引脚图

RS1E350BNTB封装图

RS1E350BNTB封装焊盘图

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RS1E350BNTB	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.5 V	搜索库存