R6015FNX
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R6015FNX中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 1660pF @25VVds
下降时间 35 ns
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R6015FNX引脚图与封装图 
R6015FNX引脚图
R6015FNX封装图
R6015FNX封装焊盘图
在线购买R6015FNX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R6015FNX | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 搜索库存 |
替代型号R6015FNX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R6015FNX 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-3 N 600V 15A 0.27ohms | 当前型号 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 当前型号 |
| 型号： R5016FNX 品牌： 罗姆半导体 封装： TO-220-3 N 500V 16A 0.22Ω | 类似代替 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | R6015FNX和R5016FNX的区别 |