R5013ANXFU6
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R5013ANXFU6中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 67 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R5013ANXFU6引脚图与封装图
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在线购买R5013ANXFU6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R5013ANXFU6 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | TO-220FM N-CH 500V 13A | 搜索库存 |
替代型号R5013ANXFU6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R5013ANXFU6 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220FM N-CH 500V 13A | 当前型号 | TO-220FM N-CH 500V 13A | 当前型号 |
| 型号： STP14NK50ZFP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 500V 6A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP14NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V | R5013ANXFU6和STP14NK50ZFP的区别 |