RSD100N10TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSD100N10TL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.095 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSD100N10TL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RSD100N10TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSD100N10TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号RSD100N10TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSD100N10TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-62-3 N-Channel | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： RD3P100SNTL1 品牌： 罗姆半导体 封装： | 完全替代 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V | RSD100N10TL和RD3P100SNTL1的区别 |