RUS100N02TB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

ROHM RUS100N02TB 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 20 V, 0.008 ohm, 4.5 V, 1 V

N-Channel 20V 10A Ta 2W Ta Surface Mount 8-SOP

得捷:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

贸泽:
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 10 A, 0.008 ohm, SOP, 表面安装

Newark:
# ROHM RUS100N02TB MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 20 V, 0.008 ohm, 4.5 V, 1 V

Win Source:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

RUS100N02TB中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 2250pF @10VVds

下降时间 125 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/06/15

RUS100N02TB引脚图与封装图

RUS100N02TB引脚图

RUS100N02TB封装图

RUS100N02TB封装焊盘图

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