RT1A040ZPTR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RT1A040ZPTR中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.25W Ta
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 2350pF @6VVds
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSST-8
外形尺寸
封装 TSST-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RT1A040ZPTR引脚图与封装图 
RT1A040ZPTR引脚图
RT1A040ZPTR封装图
RT1A040ZPTR封装焊盘图
在线购买RT1A040ZPTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RT1A040ZPTR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | TSST P-CH 12V 4A | 搜索库存 |