RSD220N06TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

CPT N-CH 60V 22A

表面贴装型 N 通道 60 V 22A（Ta） 20W（Ta） CPT3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3

贸泽:
MOSFET Nch 60V 22A MOSFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 22A SOT428

RSD220N06TL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 20W Ta

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 22A

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 20W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RSD220N06TL引脚图与封装图

暂无图片

在线购买RSD220N06TL

型号	制造商	描述	购买
RSD220N06TL	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	CPT N-CH 60V 22A	搜索库存