RSH070N05GZETB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 8
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 45 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1000pF @10VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
封装 SOP-8
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RSH070N05GZETB引脚图
RSH070N05GZETB封装图
RSH070N05GZETB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RSH070N05GZETB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 45 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |