RQ3E180AJTB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RQ3E180AJTB中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 4290pF @15VVds
下降时间 160 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RQ3E180AJTB引脚图与封装图 
RQ3E180AJTB引脚图
RQ3E180AJTB封装图
RQ3E180AJTB封装焊盘图
在线购买RQ3E180AJTB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Mosfet n-Ch 30V 18A Hsmr8 | 搜索库存 |