RS1E320GNTB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 3W Ta, 34.6W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 32A
输入电容Ciss 2850pF @15VVds
耗散功率Max 3W Ta, 34.6W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOP-8
封装 HSOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RS1E320GNTB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | HSOP N-CH 30V 32A | 搜索库存 |