RSD050N10TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSD050N10TL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 15 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
额定功率Max 15 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 15W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSD050N10TL引脚图与封装图 
RSD050N10TL引脚图
RSD050N10TL封装焊盘图
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