RTR025P02TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTR025P02TL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.50 A
通道数 1
漏源极电阻 115 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 630pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
RTR025P02TL引脚图与封装图 
RTR025P02TL引脚图
RTR025P02TL封装图
RTR025P02TL封装焊盘图
在线购买RTR025P02TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RTR025P02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3 | 搜索库存 |
替代型号RTR025P02TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： 2SK3019TL 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-416 N-Channel 30V 100mA 7ohms | 类似代替 | ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V | RTR025P02TL和2SK3019TL的区别 |
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