RHP030N03T100
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 160pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
RHP030N03T100引脚图
RHP030N03T100封装图
RHP030N03T100封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
RHP030N03T100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N 沟道 500 mW 30 V 120 mOhm 表面贴装 4 V MOSFET - MPT-3 | 搜索库存 |