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RHP030N03T100

RHP030N03T100

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

N 沟道 500 mW 30 V 120 mOhm 表面贴装 4 V MOSFET - MPT-3

N 通道 MOSFET ,ROHM


得捷:
MOSFET N-CH 30V 3A MPT3


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ROHM Si N沟道 MOSFET RHP030N03T100, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 MPT封装


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N沟道 30V 3A


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晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V


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Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 4-Pin3+Tab MPT T/R


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MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89


RHP030N03T100中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 3.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 160 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 300 mA

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 160pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

RHP030N03T100引脚图与封装图
RHP030N03T100引脚图

RHP030N03T100引脚图

RHP030N03T100封装图

RHP030N03T100封装图

RHP030N03T100封装焊盘图

RHP030N03T100封装焊盘图

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RHP030N03T100 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 N 沟道 500 mW 30 V 120 mOhm 表面贴装 4 V MOSFET - MPT-3 搜索库存