针脚数 6
漏源极电阻 0.031 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 460pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2.1 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.82 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RUL035N02TR引脚图
RUL035N02TR封装图
RUL035N02TR封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RUL035N02TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RUL035N02TR 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TUMT N-Channel 20V 3.5A | 当前型号 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 当前型号 | |
型号: DMN2100UDM-7 品牌: 美台 封装: SOT-26 N-CH 20V 4A | 功能相似 | N沟道 20V 3.3A | RUL035N02TR和DMN2100UDM-7的区别 |