RSF010P03TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 350 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -1.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 120pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
RSF010P03TL引脚图
RSF010P03TL封装图
RSF010P03TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
RSF010P03TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RSF010P03TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 350 mohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |