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RSF010P03TL

RSF010P03TL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  RSF010P03TL  晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 350 mohm, -10 V, -2.5 V

表面贴装型 P 通道 1A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3


得捷:
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3


贸泽:
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -1A


e络盟:
ROHM  RSF010P03TL  晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 350 mohm, -10 V, -2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1A 3-Pin TUMT T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin TUMT T/R


富昌:
P 沟道 30 V 630 mOhm 0.8 W 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - TUMT-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin TUMT T/R


儒卓力:
**P-CHANNEL MOSFET 30V 1A TUMT3 **


DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3


RSF010P03TL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 350 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 800 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -1.00 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 120pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.77 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

RSF010P03TL引脚图与封装图
RSF010P03TL引脚图

RSF010P03TL引脚图

RSF010P03TL封装图

RSF010P03TL封装图

RSF010P03TL封装焊盘图

RSF010P03TL封装焊盘图

在线购买RSF010P03TL
型号 制造商 描述 购买
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