RTF015P02TL

低导通电阻。 （570mΩ在2.5V）高功率封装。高速开关。低电压驱动

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.1Ω @-1.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| Features Low on-resistance. 570mΩ at 2.5V High power package. High speed switching. Low voltage drive. 2.5V 描述与应用| 低导通电阻。 （570mΩ在2.5V） 高功率封装。 高速开关。 低电压驱动

得捷:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3

贸泽:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin TUMT T/R

儒卓力:
**P-CHANNEL MOSFET 20V 1,5A TUMT3 **

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3

DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3