RZR040P01TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RZR040P01TL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 2350pF @6VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RZR040P01TL引脚图与封装图 
RZR040P01TL引脚图
RZR040P01TL封装图
RZR040P01TL封装焊盘图
在线购买RZR040P01TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RZR040P01TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RZR040P01TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -12 V, 0.022 ohm, -4.5 V, -300 mV | 搜索库存 |
替代型号RZR040P01TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RZR040P01TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT P-Channel 12V 4A | 当前型号 | ROHM RZR040P01TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -12 V, 0.022 ohm, -4.5 V, -300 mV | 当前型号 |
| 型号： RQ5A040ZPTL 品牌： 罗姆半导体 封装： | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -12 V, 0.022 ohm, -4.5 V, -1 V | RZR040P01TL和RQ5A040ZPTL的区别 |