RTR025N03TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTR025N03TL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.092 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 220pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
RTR025N03TL引脚图与封装图 
RTR025N03TL引脚图
RTR025N03TL封装图
RTR025N03TL封装焊盘图
在线购买RTR025N03TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RTR025N03TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N 沟道 1 W 30 V 133 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3 | 搜索库存 |
替代型号RTR025N03TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RTR025N03TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT3 N-Channel 30V 2.5A 950mohms | 当前型号 | N 沟道 1 W 30 V 133 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3 | 当前型号 |
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