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RTE002P02TL

RTE002P02TL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

P沟道 20V 200mA

表面贴装型 P 通道 20 V 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3


立创商城:
P沟道 20V 200mA


得捷:
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3


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MOSFET P-CH 20V 200MA SOT416


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Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R


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Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416


RTE002P02TL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -200 mA

漏源极电阻 2 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 150 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 50pF @10VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.7 mm

封装 SOT-416-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RTE002P02TL引脚图与封装图
RTE002P02TL引脚图

RTE002P02TL引脚图

RTE002P02TL封装图

RTE002P02TL封装图

RTE002P02TL封装焊盘图

RTE002P02TL封装焊盘图

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