RTE002P02TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -200 mA
漏源极电阻 2 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SOT-416-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RTE002P02TL引脚图
RTE002P02TL封装图
RTE002P02TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RTE002P02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P沟道 20V 200mA | 搜索库存 |