
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.50 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 285pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.9 mm
封装 TSOT-23-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

RTQ035N03TR引脚图

RTQ035N03TR封装图

RTQ035N03TR封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RTQ035N03TR 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TSMT6 N-Channel 30V 3.5A 550mohms | 当前型号 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM | 当前型号 | |
型号: RQ6E035TNTR 品牌: 罗姆半导体 封装: | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 1.5 V | RTQ035N03TR和RQ6E035TNTR的区别 | |
型号: FDC855N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23-6 N-Channel 30V 6.1A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V | RTQ035N03TR和FDC855N的区别 | |
型号: SI3456DDV-T1-GE3 品牌: 威世 封装: 6-TSOP N-Channel 30V 5A 40mΩ | 功能相似 | N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | RTQ035N03TR和SI3456DDV-T1-GE3的区别 |