RF4E075ATTCR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

HUML P-CH 30V 7.5A

表面贴装型 P 通道 7.5A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8

得捷:
MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R

安富利:
P-Channel Mid-Power MOSFET 30V Drain-Source Voltage ±7.5A Continuous Drain Current 2W Power Dissipation Low-On Resistance 6-Pin DFN Emboss T/R

RF4E075ATTCR中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.5A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1000pF @15VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerUDFN-8

外形尺寸

封装 PowerUDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

海关信息

香港进出口证 NLR

RF4E075ATTCR引脚图与封装图

RF4E075ATTCR引脚图

RF4E075ATTCR封装图

RF4E075ATTCR封装焊盘图

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