RSL020P03TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSL020P03TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 350pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSL020P03TR引脚图与封装图 
RSL020P03TR引脚图
RSL020P03TR封装图
RSL020P03TR封装焊盘图
在线购买RSL020P03TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSL020P03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6Pin TUMT T/R | 搜索库存 |
替代型号RSL020P03TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSL020P03TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TUMT | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6Pin TUMT T/R | 当前型号 |
| 型号： MCH6318 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | P-channel Silicon Mosfet | RSL020P03TR和MCH6318的区别 |