RUF020N02TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RUF020N02TL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 800 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 180pF @10VVds
额定功率Max 320 mW
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
高度 0.82 mm
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RUF020N02TL引脚图与封装图 
RUF020N02TL引脚图
RUF020N02TL封装图
RUF020N02TL封装焊盘图
在线购买RUF020N02TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RUF020N02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.075 ohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |