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RSU002P03T106

RSU002P03T106

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET

二极管与整流器


得捷:
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3


立创商城:
P沟道 30V 200mA


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin UMT T/R


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Trans MOSFET P-CH 30V 0.25A 3-Pin UMT T/R


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Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin UMT T/R


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**P-CH -30V 0,2A 1400mOhm SOT-323 **


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT-323


RSU002P03T106中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -200 mA

通道数 1

漏源极电阻 1.60 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.2 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 30pF @10VVds

额定功率Max 200 mW

下降时间 40 ns

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

RSU002P03T106引脚图与封装图
RSU002P03T106引脚图

RSU002P03T106引脚图

RSU002P03T106封装图

RSU002P03T106封装图

RSU002P03T106封装焊盘图

RSU002P03T106封装焊盘图

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