RSU002P03T106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -200 mA
通道数 1
漏源极电阻 1.60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 30pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 40 ns
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
RSU002P03T106引脚图
RSU002P03T106封装图
RSU002P03T106封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RSU002P03T106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET | 搜索库存 |