RRR015P03TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RRR015P03TL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 115 mΩ
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 540mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RRR015P03TL引脚图与封装图 
RRR015P03TL引脚图
RRR015P03TL封装图
RRR015P03TL封装焊盘图
在线购买RRR015P03TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RRR015P03TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3Pin TSMT T/R | 搜索库存 |
替代型号RRR015P03TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RRR015P03TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3Pin TSMT T/R | 当前型号 |
| 型号： RRF015P03TL 品牌： 罗姆半导体 封装： 3-SMD P-Channel 30V 1.5A | 功能相似 | P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM | RRR015P03TL和RRF015P03TL的区别 |
| 型号： RW1E015RPT2R 品牌： 罗姆半导体 封装： WEMT P-CH 30V 1.5A | 功能相似 | WEMT P-CH 30V 1.5A | RRR015P03TL和RW1E015RPT2R的区别 |