
针脚数 3
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 2.5A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1350pF @6VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 85 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
香港进出口证 NLR

RZR025P01TL引脚图

RZR025P01TL封装图

RZR025P01TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RZR025P01TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RZR025P01TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -300 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RZR025P01TL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TSMT P-Channel 12V 2.5A | 当前型号 | ROHM RZR025P01TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -300 mV | 当前型号 | |
型号: 2SK3019TL 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-416 N-Channel 30V 100mA 7ohms | 类似代替 | ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V | RZR025P01TL和2SK3019TL的区别 | |
型号: RQ5A025ZPTL 品牌: 罗姆半导体 封装: | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V | RZR025P01TL和RQ5A025ZPTL的区别 | |
型号: BSS123-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω | 功能相似 | 三极管 | RZR025P01TL和BSS123-7-F的区别 |