RUE003N02TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RUE003N02TL中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.3A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
RUE003N02TL引脚图与封装图 
RUE003N02TL引脚图
RUE003N02TL封装图
RUE003N02TL封装焊盘图
在线购买RUE003N02TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RUE003N02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | EMT N-CH 20V 0.3A | 搜索库存 |
替代型号RUE003N02TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RUE003N02TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： EMT3 N-Channel 20V 0.3A | 当前型号 | EMT N-CH 20V 0.3A | 当前型号 |
| 型号： 2SK3019TL 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-416 N-Channel 30V 100mA 7ohms | 类似代替 | ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V | RUE003N02TL和2SK3019TL的区别 |
| 型号： 2N7002ET1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | RUE003N02TL和2N7002ET1G的区别 |
| 型号： BSS123-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω | 功能相似 | 三极管 | RUE003N02TL和BSS123-7-F的区别 |