
针脚数 3
漏源极电阻 0.115 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 0.8 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 320 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TUMT-3
长度 2.1 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.82 mm
封装 TUMT-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

RRF015P03TL引脚图

RRF015P03TL封装图

RRF015P03TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RRF015P03TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RRF015P03TL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: 3-SMD P-Channel 30V 1.5A | 当前型号 | P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM | 当前型号 | |
型号: RRR015P03TL 品牌: 罗姆半导体 封装: TSMT | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3Pin TSMT T/R | RRF015P03TL和RRR015P03TL的区别 |