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RUF015N02TL

RUF015N02TL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

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RUF015N02TL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.8 W

针脚数 3

漏源极电阻 130 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 800 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 110pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TUMT-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.77 mm

封装 TUMT-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

RUF015N02TL引脚图与封装图
RUF015N02TL引脚图

RUF015N02TL引脚图

RUF015N02TL封装图

RUF015N02TL封装图

RUF015N02TL封装焊盘图

RUF015N02TL封装焊盘图

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