RRF015P03GTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RRF015P03GTL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 115 mΩ
耗散功率 800 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 230pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 320mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RRF015P03GTL引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| RRF015P03GTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET P-CH 30V ±1.5A 3Pin SOT-323T T/R | 搜索库存 |