RUE002N02TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 0.15 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SC-75-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RUE002N02TL引脚图
RUE002N02TL封装图
RUE002N02TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | RUE002N02 N 沟道 20 V 4.8 Ω 表面贴装 开关 Mosfet - EMT-3 | 搜索库存 |