针脚数 3
漏源极电阻 2.5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 0.15 W
阈值电压 1 V
输入电容 7.1 pF
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.1A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 7.1pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
长度 1.7 mm
宽度 0.96 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-416
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RE1C001UNTCL引脚图
RE1C001UNTCL封装图
RE1C001UNTCL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RE1C001UNTCL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RE1C001UNTCL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: N-CH 20V 0.1A | 当前型号 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 当前型号 | |
型号: 2SK3019TL 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-416 N-Channel 30V 100mA 7ohms | 功能相似 | ROHM 2SK3019TL 晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 V | RE1C001UNTCL和2SK3019TL的区别 |