通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 40 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 0.1A
上升时间 62 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 15pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 137 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
长度 1.3 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.45 mm
封装 SOT-723-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
RZM001P02T2L引脚图
RZM001P02T2L封装图
RZM001P02T2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RZM001P02T2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RZM001P02T2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: VMT P-Channel 20V 0.1A | 当前型号 | P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 当前型号 | |
型号: RE1C001ZPTL 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-89 P-Channel 20V 0.1A | 功能相似 | P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | RZM001P02T2L和RE1C001ZPTL的区别 | |
型号: RU1C001ZPTL 品牌: 罗姆半导体 封装: UMT3F P-Channel | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V | RZM001P02T2L和RU1C001ZPTL的区别 |