RSU002N06T106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSU002N06T106中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 200mW Ta
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.25A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 15pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 28 ns
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSU002N06T106引脚图与封装图 
RSU002N06T106引脚图
RSU002N06T106封装图
RSU002N06T106封装焊盘图
在线购买RSU002N06T106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSU002N06T106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMT N-CH 60V 0.25A | 搜索库存 |
替代型号RSU002N06T106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSU002N06T106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-70 N-CH 60V 0.25A | 当前型号 | UMT N-CH 60V 0.25A | 当前型号 |
| 型号： RSM002N06T2L 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-723 N-Channel | 功能相似 | RSM002N06 系列 N沟道 60 V 2.4 Ohm 200 mW 表面贴装 Mosfet - VMT-3 | RSU002N06T106和RSM002N06T2L的区别 |