RU1E002SPTCL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

P沟道 30V 250mA

P-Channel 30V 250mA Ta 200mW Ta Surface Mount UMT3F

得捷:
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F

立创商城:
P沟道 30V 250mA

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin UMTF T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V ±0.25A 3-Pin SOT-323FL T/R

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Trans MOSFET P-CH 30V 0.25A 3-Pin UMTF T/R

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin UMTF T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

RU1E002SPTCL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.2 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 30pF @10VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-85

外形尺寸

封装 SC-85

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99"

RU1E002SPTCL引脚图与封装图

RU1E002SPTCL引脚图

RU1E002SPTCL封装图

RU1E002SPTCL封装焊盘图

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