RN1967FETE85L,F

Toshiba 东芝分立器件

ES NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装型 ES6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

RN1967FETE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1967FETE85L,F引脚图与封装图

暂无图片

在线购买RN1967FETE85L,F

型号	制造商	描述	购买
RN1967FETE85L,F	Toshiba 东芝	ES NPN 50V 100mA	搜索库存