RN1901,LFCT

Toshiba 东芝分立器件

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6Pin SOT-363

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

艾睿:
Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Bias Resistor built-in Transistor

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363

RN1901,LFCT中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

RN1901,LFCT引脚图与封装图

RN1901,LFCT引脚图

RN1901,LFCT封装图

RN1901,LFCT封装焊盘图

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