RN2505TE85LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5Pin SMV T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual Emitter Coupled 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO

Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

RN2505TE85LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-25-5

外形尺寸

封装 SOT-25-5

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN2505TE85LF引脚图与封装图

暂无图片

在线购买RN2505TE85LF

型号	制造商	描述	购买
RN2505TE85LF	Toshiba 东芝	Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5Pin SMV T/R	搜索库存