RN2905T5LFT
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
RN2905T5LFT中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RN2905T5LFT引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| RN2905T5LFT | Toshiba 东芝 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2in-1 Ic -100mA -50V VCEO | 搜索库存 |