RN1971TE85LF

Toshiba(东芝) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

RN1971TE85LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1971TE85LF引脚图与封装图

暂无图片

在线购买RN1971TE85LF

型号	制造商	描述	购买
RN1971TE85LF	Toshiba 东芝	双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	搜索库存