RN1510TE85L,F

Toshiba 东芝分立器件

双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual Emitter Coupled 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin SMV T/R

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

RN1510TE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-753

外形尺寸

封装 SOT-753

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1510TE85L,F引脚图与封装图

RN1510TE85L,F引脚图

RN1510TE85L,F封装图

RN1510TE85L,F封装焊盘图

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RN1510TE85L,F	Toshiba 东芝	双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A	搜索库存