RN1901FETE85LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2in-1 100mA 50V

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装型 ES6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

RN1901FETE85LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1901FETE85LF引脚图与封装图

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