RN4902,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin US

RN4902,LF中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN4902,LF引脚图与封装图

RN4902,LF引脚图

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