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RN1602TE85L,F

RN1602TE85L,F

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 分立器件

SM NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6


RN1602TE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1602TE85L,F引脚图与封装图
RN1602TE85L,F引脚图

RN1602TE85L,F引脚图

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